BC847B-G

功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 SM SIGNAL TRANSISTOR

RoHS:

制造商:NXP Semiconductors

配置:Dual Dual Gate

晶体管极性:N-Channel

电阻汲极/源极 RDS(导通):

汲极/源极击穿电压:6 V

闸/源击穿电压:6 V

漏极连续电流:30 mA

功率耗散:180 mW

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-88

封装:Reel

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